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VNP20N07-E中文资料

VNP20N07-E图片

VNP20N07-E外观图

  • 大小:282.2KB
  • 厂家:STMicroelectronics
  • 描述: MOSFET OMNIFET 70V 20A TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:20A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:83W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:70V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • 其它有关文件:VNP20N07 View All Specifications
  • 标准包装:50
  • 类别:集成电路 (IC)
  • 家庭:PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
  • 系列:OMNIFET™
  • 类型:低端
  • 输入类型:非反相
  • 输出数:1
  • 导通状态电阻:50 毫欧
  • 电流 - 输出 / 通道:-
  • 电流 - 峰值输出:20A
  • 电源电压:-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件

VNP20N07-E供应商

更新时间:2023-04-04 21:14:29
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